光刻機
來源： | 發布時間：2021-10-30 |
什么是光刻機
光刻機(紫外曝光機)（Mask Aligner) 又被稱為：掩(yan)模對準曝光機，曝光系(xi)統，光刻系(xi)統等(deng)。常(chang)用的光刻機是掩(yan)膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.
一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography（光(guang)刻(ke)） 意思是用光(guang)來制作一個(ge)圖形（工(gong)藝）；在硅(gui)片表(biao)面勻膠，然后將(jiang)掩模版上(shang)的圖形轉(zhuan)移光(guang)刻(ke)膠上(shang)的過程將(jiang)器件(jian)或電路結構(gou)臨時“復制”到硅(gui)片上(shang)的過程。
光刻機用途
主要用于(yu)中小(xiao)規模集成電路、半導(dao)體元器件、聲表面波(bo)器件的研制和生產。 由于(yu)本(ben)機找(zhao)(zhao)平機構先進，找(zhao)(zhao)平力小(xiao)、使(shi)本(ben)機不(bu)僅適合(he)硅片(pian)、玻璃片(pian)、陶(tao)瓷片(pian)、寶石片(pian)的曝光，而且也適合(he)易碎片(pian)如砷化鉀、磷化銦等基(ji)片(pian)的曝光以及非圓形(xing)基(ji)片(pian)和小(xiao)型基(ji)片(pian)的曝光。
光刻機分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。
A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；
B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；
C 自動： 指的是(shi) 從(cong)基板(ban)的上載下載，曝(pu)光(guang)時(shi)長和循環(huan)都(dou)是(shi)通過程序控制，自(zi)動光(guang)刻機主要是(shi)滿(man)足工廠對于處理(li)量(liang)的需要，恩科(ke)優的NXQ8000系列可以一個小時(shi)處理(li)幾百片(pian)wafer。
單面光刻機主要技術指標
1、適用于4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對應的版夾盤，□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調密著真空度，能實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭，光的不均勻性≤±3%，曝光時間0～9999.9秒可調。
5、具有預定位靠尺：利用基片切邊進行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作(zuo)承片臺，利(li)用曝光(guang)時間，進行卸片、上(shang)片工作(zuo)。
雙面光刻機主要技術指標
雙面對準，單面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
雙面對準(zhun)，雙面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
1、適用于6″、5″、4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對應的版夾盤，，□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調密著真空度，能實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭，光的不均勻性≤±3%，曝光時間0～9999.9秒可調。
5、具有預定位靠尺：利用基片切邊進行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺，利(li)用(yong)曝(pu)光時間，進行卸(xie)片、上(shang)片工作。
光刻機紫外光源
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。
常見光源分為:
紫外光（UV），g線：436nm;i線：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統的要求
a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現象會更嚴重。]b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統的功能(neng)主要有：平滑衍(yan)射(she)效應、實現(xian)均(jun)勻照明(ming)、濾光和冷光處理、實現(xian)強(qiang)光照明(ming)和光強(qiang)調節(jie)等。
光刻機生產廠家供應信息
廠家名稱：成都新德南光機械設備有限公司.
廠家地址：四川省成都市武侯區逸都路29號.
廠家聯系人：文寬.
廠家聯系電話：13540650355。
該廠家位于四川成都，多地有駐外辦事處，可面(mian)向全國各個(ge)企業提(ti)供光刻機相關產品的(de)定制和(he)維(wei)修。
m, ArF 準分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統的要求
a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現象會更嚴重。]b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統的功能主要有：平(ping)滑衍射效應、實現均(jun)勻照明(ming)、濾光和冷(leng)光處(chu)理、實現強(qiang)(qiang)光照明(ming)和光強(qiang)(qiang)調節(jie)等(deng)。
光刻機生產廠家供應信息
廠家名稱：成都新德南光機械設備有限公司.
廠家地址：四川省成都市武侯區逸都路29號.
廠家聯系人：文寬.
廠家聯系電話：13540650355。
該廠家位于四(si)川成都，多地有駐(zhu)外辦(ban)事處，可面向全國(guo)各個企業提供光刻機相(xiang)關產品的定制和維修。
